About DoKS      NL  |  EN Zoek:
  Begint met (bv. psycholog*)    Exacte woordgroep (bv. "beschutte werkplaats")
 
Home
Administratie
Auteurs
Departementen
Help
Jaren
 


1.063 eindwerken on-line.
Meest populaire eindwerken:
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
   
 Meer... 



Open Archives Initiative
Home

Karakterisatie en modellering van straling en temperatuur op 0.35 mm Si-Ge

2010
THIELS, Joris
Master in de industriŽle wetenschappen: ICT

Trefwoorden:

Samenvatting :
Deze masterproef behandelt de karakterisatie en modellering van drie geÔntegreerde
0.35 mm Si-Ge BiCMOS transimpedantie versterkers. Dit is een verderzetting van het
eindwerk van Ing. Bastiaan Van Hees, Katholieke Hogeschool Kempen, 2009. Deze drie
versterkers verschillen onderling in opbouw, dit geeft ze eigen typische eigenschappen.
Het uiteindelijke doel van het eindwerk is dan ook te gaan bepalen welk van deze
drie versterkers het meest geschikt is om te dienen als versterker voor een ultrasone
sensor. Deze bepaling gebeurt op basis van hun gedrag in functie van temperatuur en
gammastraling.
Allereerst wordt bekeken hoe de verschillende versterkers bestraald zijn geweest. Ook
wordt de opbouw van de drie transimpedantie versterkers belicht. Nadien worden de
aanpassingen besproken die zijn gebeurd om ze al een beter resistentie tegen straling
geven.
Verder worden de belangrijkste DC parameters van de versterkers gesimuleerd in SPICE
onder invloed van temperatuur. Dezelfde parameters van bij de simulaties worden
uitgemeten in functie van de temperatuur. Dit wordt uitgevoerd met behulp van
LabVIEW en de op opstelling van Ing. Bastiaan Van Hees. Ook wordt er vergeleken
wat de verschillen zijn tussen de drie transimpedantie versterkers en kan er eventueel
al een selectie volgen.
Dezelfde parameters uit de vorige stappen worden uitgemeten tijdens bestraling met
dezelfde opstelling die gebruikt werd bij de temperatuursmetingen. Deze resultaten
worden geŽvalueerd en hieruit worden dan conclusies getrokken om de meest geschikte
versterker te kiezen. Hierna gaan we in SPICE deze drie versterkers modelleren, om
zo in de toekomst een idee te kunnen krijgen hoe een andere versterker gaat reageren
onder invloed van een bepaalde dosis gammastraling.
Uiteindelijk kan geconcludeerd worden dat bipolaire transistoren het minst stralingsgevoelig
zijn, maar wel merkelijk gevoeliger zijn voor temperatuursschommelingen dan
de CMOS transistoren.

Tekst:
Bestand Grootte Type Controle
200600024_10.pdf 6 MB Adobe PDF MD5

Dit eindwerk werd 1375 keer bekeken en 807 keer gedownload.
Translate to English (Google translate)
 

Details

toon ETD - Dublin Core

Wil je naar dit eindwerk verwijzen in je eigen eindwerk, paper of rapport, gebruik dan dit formaat (APA):

THIELS, J. (2010). Karakterisatie en modellering van straling en temperatuur op 0.35 mm Si-Ge. Onuitgegeven verhandeling, Xios, IWT.
Gevonden op op http://doks.xios.be/doks/do/record/Get?dispatch=view&recordId=Sxhl8ae57e8c29126610012912bd9e24000c.




©2004-2005 - XIOS Hogeschool Limburg - webmaster - Contact